| Specifications: | |
|---|---|
| Quantitas: | |
Brevis ad rara Carbon pro Silicon deposition
Silicon fundatur Anode materiae sunt maxime anticipatae proximo-generation altilium materiae. Nam vapor deposita Silicon ipsum, core est ad producendum rara Carbon compage ad humilis sumptus ad reponunt Silicon et quiddam in volumen expansion in lithium insertionem processus per pores intus rara Carbon. Ideo ad expansionem rate est humilis et cycle est optimum. Et carbo carbonis non solum habet humilis productio sumptus, sed etiam habet bonum Calcium repono capacitatem. Praeterea, in ipsum est a low density et carbonis osseus et lucem pondus, faciens materiam industria density princeps.
Proprium
Specific Area> 1600M2 / G;
Total Pore Volubilis:> 0.8cm3 / G;
Pore Location distribution: I ~ 4NM;
Minimum cinis contentus, princeps puritatis;
Minimum internum resistentia;
Princeps Silicon depositionem rate;
Princeps initial coulomb efficientiam;
Longae vitae.
Usurpo
Idoneam ad Silanene vapor depositione ut basis materia in Silicon Carbon Anode in Lithium-Ion gravida, applicantur ut anode materiae ad novum altum industria density potentia gravida et industria repono gravida.
Productum parametri
Products nomen | ACC-50A | |
Species | PULLUS | |
pluma | Porosity | |
SPECIMUS AREA Area (M2 / G) | MCM ~ MM | |
Mediocris Pore diameter (NM) | 1.9 ~ 2.1 | |
Humilitatis contentus (%) | ≤2.0 | |
Cinis contentus (%) | ≤0.20 | |
ICTUS density (G / CM3) | ≥0.42 | |
Superficies munus coetus (MMOL / g) | ≤0.5 | |
PH pretii | 6.0 ~ 8,0 | |
Brevis ad rara Carbon pro Silicon deposition
Silicon fundatur Anode materiae sunt maxime anticipatae proximo-generation altilium materiae. Nam vapor deposita Silicon ipsum, core est ad producendum rara Carbon compage ad humilis sumptus ad reponunt Silicon et quiddam in volumen expansion in lithium insertionem processus per pores intus rara Carbon. Ideo ad expansionem rate est humilis et cycle est optimum. Et carbo carbonis non solum habet humilis productio sumptus, sed etiam habet bonum Calcium repono capacitatem. Praeterea, in ipsum est a low density et carbonis osseus et lucem pondus, faciens materiam industria density princeps.
Proprium
Specific Area> 1600M2 / G;
Total Pore Volubilis:> 0.8cm3 / G;
Pore Location distribution: I ~ 4NM;
Minimum cinis contentus, princeps puritatis;
Minimum internum resistentia;
Princeps Silicon depositionem rate;
Princeps initial coulomb efficientiam;
Longae vitae.
Usurpo
Idoneam ad Silanene vapor depositione ut basis materia in Silicon Carbon Anode in Lithium-Ion gravida, applicantur ut anode materiae ad novum altum industria density potentia gravida et industria repono gravida.
Productum parametri
Products nomen | ACC-50A | |
Species | PULLUS | |
pluma | Porosity | |
SPECIMUS AREA Area (M2 / G) | MCM ~ MM | |
Mediocris Pore diameter (NM) | 1.9 ~ 2.1 | |
Humilitatis contentus (%) | ≤2.0 | |
Cinis contentus (%) | ≤0.20 | |
ICTUS density (G / CM3) | ≥0.42 | |
Superficies munus coetus (MMOL / g) | ≤0.5 | |
PH pretii | 6.0 ~ 8,0 | |
